產品用途：通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區光電轉換，可以表征
光電子器件及太陽能電池微區的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數，
并通過橫向掃描（Mapping）形成圖像，以反應各種參數的平面均勻性，尤其是
晶界和位錯分布， 為光電子器件及太陽能電池的結構優化和工藝改進提供參考依
據。設備可應用于太陽能電池研究，GaAs、InP、GaN 光電子器件的研究。該設
備克服了大面積光照下I-V 測試與單點光譜測試的不對應性和不準確性，大大提
高了光電子器件診斷精度。
產品指標：
（1） 樣品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2
（2） 激光波長：532 和 980nm，也可根據材料的光吸收系數而自行選配
（3） 激光光斑：50μm/100μm 可選
（4） 測試電流范圍：1 μA–1 mA
（5） 測試模式：LBIC，LBIV，內外量子效率，反射率，擴散長度，均為
mapping成像
（6） 掃描步長：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm（可根據實際需要自定
義）
（7） 掃描速度：15 points/s
（8） 可進行單點或連續掃描（mapping）測試
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